次世代1200V FZ-Diodeの開発(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
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概要
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This paper presents the new 1200V FZ-Diode chip using the newly developed local lifetime control technique which is a combination of the electron irradiation and the back-side laser annealing in order to realize the optimum carrier profile. Furthermore, 20% lower resistivity bulk can be utilized due to optimization of the edge termination structure to have a uniform electric field distribution. As a result, the new 1200V FZ-diode with very soft recovery characteristics has been successfully developed without increase of the reverse recovery losses compared to a conventional diode.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-10-16
著者
-
仲野 逸人
富士電機デバイステクノロジー
-
小野澤 勇一
富士電機デバイステクノロジー
-
河野 涼一
富士電機デバイステクノロジー
-
山崎 智幸
富士電機デバイステクノロジー
-
河野 涼一
富士電機システムズ(株)
-
仲野 逸人
富士電機システムズ(株)
-
小野澤 勇一
富士電機システムズ(株)
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