真田 克 | Necエレクトロニクス(株)評価技術開発事業部
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概要
関連著者
著作論文
- 2-3 セル内故障箇所の特定 : スイッチングレベルシミュレーションを用いた診断(セッション2 試験・LSIの故障解析(1),第17回秋季信頼性シンポジウム)
- 2-5 レーザプロービングパッドを用いたLSI内部信号の検出方式(日本信頼性学会第12回研究発表会発表報文集)
- 1.3 レイアウト情報を用いた,I_利用による配線短絡対の特定(セッション1「ソフトウェア・故障解析1」)
- レーザプロービングパッドの作り込みによるLSI内部動作解析
- レーザプロービングパッドの作り込みによるLSI内部動作解析