奥山 憲幸 | 株式会社 神戸製鋼所 技術開発本部石炭・エネルギー プロジェクト室
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概要
論文 | ランダム
- CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- BGaN系紫外レーザの基礎検討
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- GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)