藤 寛 | シャープ株式会社基盤技術研究所

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シャープ株式会社基盤技術研究所 | 論文

• RF-MBE成長単結晶InN膜の光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• RF-MBE成長単結晶InN膜の光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• RF-MBE法を用いて成長したInN膜の電気的特性
• SiC基板上GaNのエッチングによる転位密度評価 : エピキタシャル成長IV
• RF-MBE法を用いて成長したInN膜の電気的特性

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