丸山 光弘 | 日電中研

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著作論文

• 2a-C-2 引上法GaAs完全結晶成長
• 加圧,引き上げ法による化合物半導体単結晶成長(1) : 結晶成長
• 5p-F-9 溶液からの「エピタキシヤル」生長
• 引き上げ法によるルビー単結晶 : 結晶成長
• GaAsレーザーダイオードの統計的観察 : 量子エレクトロニクス
• 拡散法によるGaAs-pn接合の特性と「レーザ」装置の試作(半導体(p-n接合))
• GaAsのX線による観察 : X線粒子線
• 14p-L-5 GaAs中へのZn拡散機構
• ルビー単結晶の成長方法による比較 : 結晶成長
• GaAs中へのZnの拡散 (II) : 半導体(エピタキシー)

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