渡辺 久夫 | 日電中研

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著作論文

• 4p-A-4 GaAsの熱処理における汚染
• InPの試作とその物性 : 半導体
• 2a-C-2 引上法GaAs完全結晶成長
• 加圧,引き上げ法による化合物半導体単結晶成長(1) : 結晶成長
• 5p-F-9 溶液からの「エピタキシヤル」生長

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