拡散法によるGaAs-pn接合の特性と「レーザ」装置の試作(半導体(p-n接合))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1963-10-13
著者
関連論文
- GaAs気相成長層の不純物ドーピング : 結晶成長
- 2a-C-2 引上法GaAs完全結晶成長
- 加圧,引き上げ法による化合物半導体単結晶成長(1) : 結晶成長
- 5p-F-9 溶液からの「エピタキシヤル」生長
- 3a-G-8 リード型アバランシェダイオードからのマイクロ波発振
- 引き上げ法によるルビー単結晶 : 結晶成長
- CdS中のドメイン消滅時の発光 : 半導体 (acoustic instability)
- GaAsダイオードレーザ : 半導体シンポジウム : GaAsを利用した素子とその周辺
- GaAsレーザーダイオードの反射率と出力 : 量子エレクトロニクス
- GaAsレーザーダイオードの統計的観察 : 量子エレクトロニクス
- 高真空でのシリコンエピタキシアル成長 : 結晶生長
- 拡散法によるGaAs-pn接合の特性と「レーザ」装置の試作(半導体(p-n接合))
- GaAsのX線による観察 : X線粒子線
- 14p-L-5 GaAs中へのZn拡散機構
- ルビー単結晶の成長方法による比較 : 結晶成長
- GaAs中へのZnの拡散 (II) : 半導体(エピタキシー)
- 4a-A-3 GaAsのエピタキシャル・グロース III