尾笹 一成 | 理研

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• 尾笹 一成

  理研

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  理科学研究所

• 荒居 善雄

  埼玉大学工学部

• 土田 栄一郎

  埼玉大学工学部

• 荒居 善雄

  埼玉大学

• 荒居 善雄

  埼玉大

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  埼玉大院

• 土田 栄一郎

  埼玉大学

• 大橋 正音

  埼玉大院

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  埼玉大院

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  埼玉大工

• 土田 栄一郎

  埼玉大工

• 山根 明彦

  埼玉大工

• 栫井 洋希

  埼玉大学

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著作論文

• ナノスケール押込みによる半導体量子ドットの発光特性評価(S05-5 ナノ・マイクロ構造体の信頼性,S05 薄膜の強度物性と信頼性)
• 741 半導体ヘテロ構造へのナノスケール押込み歪評価
• 3447 ナノスケール押込みによる半導体量子ドットの発光応答とドット位置の同定(S15-3 機能材料,S15 先端材料システムの強度・機能評価とメゾメカニックス)
• P62 ナノスケール押込みによる半導体量子ドットの発光応答に及ぼすドット位置の効果(薄膜,ポスター講演3)
• 3205 InGaAs/GaAs量子ドットのナノ押込み発光特性に及ぼすドット寸法の影響(OS6 材料のマイクロ/ナノメカニクス(1))
• 1820 ナノスケール押込みによる半導体量子ドットの発光特性と歪評価(J06-3 マイクロ・ナノ構造解析法と応用,J06 計算マイクロ・ナノメカニクス)
• 804 ナノスケール押込みによる半導体量子ドットの発光応答と歪計測(産学連携ポスターセッション)

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