Liang Yuan-hua | 埼玉大院
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概要
関連著者
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荒居 善雄
埼玉大学工学部
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荒居 善雄
埼玉大学
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Liang Yuan-hua
埼玉大院
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尾笹 一成
理科学研究所
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荒居 善雄
埼玉大
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土田 栄一郎
埼玉大学工学部
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尾笹 一成
理研
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大橋 正音
埼玉大院
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土田 栄一郎
埼玉大学
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尾笹 一成
理化学研究所
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Liang Yuan-hua
埼玉大学
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栫井 洋希
埼玉大学
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原 正彦
理化学研究所
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前田 瑞夫
理化学研究所バイオ工学研究室
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前田 瑞夫
理研
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Maeda Mizuo
Department Of Applied Chemistry Graduate School Of Engineering Kyushu University
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Maeda M
Kyushu Univ. Fukuoka
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Xu Lixia
埼玉大学
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Maeda M
Riken (inst. Of Physical And Chemical Res.) Saitama Jpn
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Murata Masaharu
Department Of Applied Chemistry Graduate School Of Engineering Kyushu University
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Murata Masaharu
Department Of Chemical Science And Technology Faculty Of Engineering Kyushu University
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Murata Masaharu
Department Of Applied Chemistry Graduate School Engineering Kyushu University
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大橋 正音
埼玉大学
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栫井 洋希
埼玉大院
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土田 栄一郎
理研
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前田 瑞夫
(独)理化学研究所基幹研究所
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前田 瑞夫
理化学研究所
著作論文
- 27pPSB-56 ナノプローブ歪によるInGaAs量子ドットの間接遷移化(27pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 405 InGaAs/GaAs 量子ドットのナノ押込み発光測定とそのシミュレーション(OS11-2:実験力学による材料評価の新展開(2),OS11:実験力学による材料評価の新展開)
- 3447 ナノスケール押込みによる半導体量子ドットの発光応答とドット位置の同定(S15-3 機能材料,S15 先端材料システムの強度・機能評価とメゾメカニックス)
- P62 ナノスケール押込みによる半導体量子ドットの発光応答に及ぼすドット位置の効果(薄膜,ポスター講演3)
- 3205 InGaAs/GaAs量子ドットのナノ押込み発光特性に及ぼすドット寸法の影響(OS6 材料のマイクロ/ナノメカニクス(1))
- 1820 ナノスケール押込みによる半導体量子ドットの発光特性と歪評価(J06-3 マイクロ・ナノ構造解析法と応用,J06 計算マイクロ・ナノメカニクス)