東郷 光洋 | Nec シリコンシステム研
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概要
Nec シリコンシステム研 | 論文
- Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_向上効果に与える影響
- ストライプトゲート真性半導体チャネルSOI-MOSFETのしきい値制御に関するシミュレーション
- SoC性能評価関数を用いた最適マルチ・トランジスタ・パラメータ設計の決定手法
- MRAM技術の現状と課題