West Ken | ルーセント・ベル研
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概要
関連著者
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吉田 正裕
東大物性研
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秋山 英文
東大物性研
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West Ken
ルーセント・ベル研
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ファイファー ローレン
プリンストン大
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Pfeiffer Loren
Princeton Univ.
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Pfeiffer L
ルーセント・ベル研
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ファイファー ローレン
ルーセント・ベル研
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West Ken
アルカテル・ルーセント・ベル研
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ウエスト ケン
プリンストン大
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West Ken
Princeton Univ.
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ウエスト ケン
アルカテル・ルーセント・ベル研
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Pfeiffer Loren
ルーセント・ベル研
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ファイファー ローレン
アルカテル・ルーセント・ベル研
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井原 章之
東大物性研
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井原 章之
東大生研:東大ナノ量子機構
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早水 裕平
東大物性研
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東大物性研
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早水 裕平
産総研ナノチューブ応用セ
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Pfeiffer L
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伊藤 弘毅
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伊藤 弘毅
東大物性研
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Pfeiffer Loren
アルカテル・ルーセント・ベル研
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小川 哲生
阪大理
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丸山 俊
東大物性研
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懐 平
上海応物研
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高橋 和
東大物性研
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高橋 和
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望月 敏光
東大理
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望月 敏光
東大物性研
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劉 舒曼
東大物性研:crest(jst)
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Pfeiffer Loren
プリンストン大
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West Ken
プリンストン大
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劉 舒曼
東大物性研
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浅野 建一
阪大理
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小川 哲生
阪大理・阪大光科学センター
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懐 平
阪大理
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早水 祐平
東大物性研
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陳 少強
東大物性研
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Baldwin Kirk
ルーセント・ベル研
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早水 祐平
東大物性研、科技団、crest
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浅野 建一
東大理:量子相エレクトロニクス研究センター
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渡邊 紳一
東大物性研
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渡邉 紳一
東大物性研
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福田 圭介
東邦大
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井原 章之
東大生研
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呉 智元
東大物性研:科技団
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West K.
ルーセント・ベル研
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岡田 高幸
東大物性研
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稲田 智志
東大物性研
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Ofeiffer Loren
ルーセント・ベル研
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懐 平
上海応用物理学研
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金 昌秀
東大物性研
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宗像 孝光
東大物性研
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ふぁい 平
阪大理
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Liu Shu-man
東大物性研
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Pfeiffer L.N.
ルーセント・ベル研
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West K.W.
ルーセント・ベル研
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Baldwin K.W.
ルーセント・ベル研
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Malis Oana
ルーセント・ベル研
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ウエスト ケン
ルーセント・ベル研
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Pfeiffer Loren
CREST(JST)
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West Ken
CREST(JST)
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Pfeiffer Loron
ルーセント・ベル研
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Pfeiffer L.
ルーセント・ベル研
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Szymanska Marzena
ケンブリッジ大物理
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Littlewood Peter
ケンブリッジ大物理
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Pinczuk Aron
コロンビア大
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福田 圭介
東大物性研
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岡野 真人
京大化研
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Huai Ping
上海応物研
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岡田 高幸
東大物性研:crest(jst)
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宗像 孝光
東大物性研:crest(jst)
著作論文
- 21aHW-9 T型量子細線の光吸収計測と一次元励起子線幅の温度依存性(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXD-9 中性及び非中性電子-正孔系を有したT型量子細線の利得及び発振特性(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aXD-8 顕微発光励起スペクトル測定を用いた非ドープ量子井戸のキャリア温度(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20aYK-3 量子井戸の界面ラフネスによる励起子の弱局在と発光励起スペクトルピークの非対称形状(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYK-2 ハートリーフォック近似計算を用いた中性及び非中性電子 : 正孔系における光学利得の解析(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pWJ-5 ドープ量子細線の光学スペクトルにおけるクーロン増強効果(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pWJ-8 T型量子細線レーザーにおける光学利得スペクトルのキャリア密度依存性(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pWJ-9 電流注入T型量子細線における利得特性の温度依存性(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 28pXC-4 ドープした一次元半導体細線の光学応答(28pXC 領域4,領域5合同シンポジウム:光学測定による半導体中のキャリア間相互作用研究の新展開,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 14pYC-7 超弱励起による原子平坦面をもつ量子井戸の発光スペクトル(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
- 24aXL-9 T型量子細線を用いた1次元励起子吸収の温度依存性測定(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aYC-2 20周期および100周期T型量子細線レーザーにおけるレーザー発振の温度依存性(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aZC-2 T-型量子細線レーザの吸収スペクトル(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 13pPSA-80 顕微透過測定による T-型量子細線レーザの吸収-利得スペクトル(領域 5)
- 20pTH-4 透過測定による T-型量子細線レーザの吸収・利得スペクトル
- 19aYJ-6 低温での光励起AlGaAs量子井戸レーザー発振における励起子分子の寄与
- 25aWQ-5 GaAs量子井戸の発光励起スペクトルにおける共鳴レーリー散乱の寄与(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25aWQ-3 点励起Hakki-Paoli法による半導体量子井戸レーザーの導波路モード評価(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 20aYK-4 ドープ量子井戸におけるKennard-Stepanov関係式(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pWJ-10 電流注入7nm×7nmT型量子細線レーザーの作製と評価(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-2 T型量子細線レーザーでのキャリア密度増加にともなう光学利得の増大と抑制効果(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-3 光励起及び電流注入によるT型量子細線の利得スペクトル測定(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-4 5nmGaAs/AlAs量子井戸の界面平坦化と発光線幅(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pPSB-54 発光励起スペクトル測定法で見るドープ量子井戸の光放出と光吸収の関係(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 18pTA-3 発光と発光励起スペクトルから見積もる低次元電子系のキャリア温度(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aXL-10 Arm-arm電流注入型T型量子細線レーザーの低閾値発振特性(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aXL-12 Arm-Stem電流注入型T型量子細線レーザーの発振特性(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aXL-11 Arm-arm電流注入型T型量子細線レーザーの光学評価と電流注入発振機構の解明(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pRE-3 アクセプターを注入したn型ドープ量子細線の発光における正孔の局在効果(27pRE 励起子・ポラリトン・高密度励起現象・局在中心・新物質,領域5(光物性))
- 20pPSA-21 n型にドープしたT型量子細線におけるPLEスペクトルの温度依存性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20aXB-5 n型にドープしたT型量子細線におけるPLEスペクトルの電子濃度依存性(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 19aYC-1 5mmスケールAlAs/GaAs T型量子細線の発光及び発光励起スペクトルII(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aPS-103 5nmスケールAlAs/GaAs T型量子細線の発光及び発光励起スペクトル(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27pXC-3 電流注入型T型量子細線レーザーの作製と評価(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aZC-1 T型量子細線中の一次元電子正孔系の時間分解発光測定(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 14pXC-14 T 型量子細線における利得吸収スペクトルの温度依存性(励起子・ポラリトン, 領域 5)
- 30aPS-73 T型量子細線レーザーの利得スペクトル(領域5ポスターセッション)(領域5)
- 28pPSB-7 高品質単一T型量子細線における一次元励起子系の多体効果III(領域4ポスターセッション)(領域4)
- 28pYF-8 n型ドープGaAs量子細線の発光および発光励起スペクトル測定(量子井戸・超格子)(領域4)
- 22pPSA-55 T 型量子細線レーザーの利得測定
- 21pPSB-3 高品質単一 T 型量子細線における一次元励起子系の多体効果 II
- 20pTH-3 発光励起スペクトルを用いた T 型量子細線中励起子励起状態の観測及び数値解析
- 20pTH-2 n 型ドープ GaAs 量子細線の発光の温度依存性
- 19pYJ-2 ゲート付変調ドープT型単一量子細線の発光における多体効果
- 19aYJ-5 へき開再成長(110)GaAs量子井戸の平坦界面形成と発光パターン
- 25pHD-11 T型量子細線における中性及び非中性電子・正孔系の光学利得の温度依存性(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aPS-85 共鳴・非共鳴励起条件下における非ドープGaAs量子井戸の発光減衰(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 7pPSB-11 T-型量子細線レーザ構造におけるキャリア移動の顕微計測(領域4)