岡野 真人 | 東大物性研
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概要
関連著者
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岡野 真人
東大物性研
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秋山 英文
東大物性研
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東大物性研
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アルカテル・ルーセント・ベル研
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井原 章之
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劉 舒曼
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東大物性研
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浅野 建一
東大理:量子相エレクトロニクス研究センター
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福田 圭介
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大野 垣健
京大院理
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Pfeiffer Loren
プリンストン大
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West Ken
プリンストン大
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西原 大志
京大院理
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Pfeiffer Loren
ルーセント・ベル研
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小川 哲生
阪大院理
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太野 垣健
京大院理
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西原 大志
京大化研
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太野垣 健
京大化研:JSTさきがけ
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山田 泰裕
京大化研
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伊藤 弘毅
東北大院理:jst-crest
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伊藤 弘毅
東大物性研
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浅野 建一
阪大院理
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懐 平
阪大理
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陳 少強
東大物性研
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ルーセント・ベル研
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田口 誠二
京大化研
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上出 健仁
阪大理
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松永 隆佑
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藤井 稔
神戸大院工
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丸山 俊
東大物性研
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東大物性研
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東大物性研
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山田 展之
アトー
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入江 勉
アトー
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久保田 英博
アトー
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上田 慧
京大化研
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懐 平
上海応用物理学研
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宗像 孝光
東大物性研
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阪大理
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東大物性研
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ルーセント・ベル研
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West K.
Princeton Univ.
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Princeton Univ.
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Huai Ping
上海応物研
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上出 健仁
阪大院理
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Pfeiffer Loren
プリンストン大学
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West Ken
プリンストン大学
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吉岡 匠哉
阪大理
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福田 真俊
神戸大院工
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岡野 真人
京大化学研
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松永 隆佑
東大理
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宗像 孝光
東大物性研:crest(jst)
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井原 章之
京大化研
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寺西 利治
京大化研
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坂本 雅典
京大化研
著作論文
- 20pHQ-5 Color Change of Firefly Bioluminescence in the Presence of Metal Ions
- 21aHW-9 T型量子細線の光吸収計測と一次元励起子線幅の温度依存性(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXD-9 中性及び非中性電子-正孔系を有したT型量子細線の利得及び発振特性(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pVE-3 異なるドープ構造を有した電流注入T型量子細線における発光特性の比較(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYK-2 ハートリーフォック近似計算を用いた中性及び非中性電子 : 正孔系における光学利得の解析(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYK-1 半導体量子細線レーザーの利得スペクトルにおけるクーロン増強および抑制効果(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pWJ-8 T型量子細線レーザーにおける光学利得スペクトルのキャリア密度依存性(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pWJ-9 電流注入T型量子細線における利得特性の温度依存性(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25aWQ-2 量子細線における一次元電子正孔系の光学利得と静的遮蔽相互作用(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25pWJ-10 電流注入7nm×7nmT型量子細線レーザーの作製と評価(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-2 T型量子細線レーザーでのキャリア密度増加にともなう光学利得の増大と抑制効果(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-3 光励起及び電流注入によるT型量子細線の利得スペクトル測定(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aXL-10 Arm-arm電流注入型T型量子細線レーザーの低閾値発振特性(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aXL-12 Arm-Stem電流注入型T型量子細線レーザーの発振特性(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aXL-11 Arm-arm電流注入型T型量子細線レーザーの光学評価と電流注入発振機構の解明(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXC-3 電流注入型T型量子細線レーザーの作製と評価(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pHD-11 T型量子細線における中性及び非中性電子・正孔系の光学利得の温度依存性(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pHD-10 半導体量子細線における一次元電子正孔光学利得の静的遮蔽相互作用形状依存性(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pHD-12 磁場印加下におけるT型量子細線の発光励起スペクトル測定(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTM-9 GaAs T型量子細線における励起子の高Rydberg状態の観測(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTM-5 n型ドープ単一量子細線の利得スペクトル測定と理論計算との定量比較(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTL-14 単層カーボンナノチューブの励起子複合体の緩和ダイナミクス(24aTL 非線形光学・高密度励起,領域5(光物性))
- 21pPSA-36 単層カーボンナノチューブの二光子励起分光(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pPSB-12 T型GaAs単一量子細線レーザーへの電流注入と発光特性(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 25aCF-1 キャリアドープした半導体ナノチューブの二光子励起スペクトル(25aCF ナノチューブ(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aBL-11 励起子Mottクロスオーバー領域における単一量子細線の高精度利得吸収スペクトル測定(27aBL 非線形工学・高密度現象,領域5(光物性))
- 20pFJ-7 Si_Ge_xナノ粒子における多重励起子生成(20pFJ 微粒子・ナノ結晶,顕微・近接場分光,領域5(光物性))
- 19pEC-10 単層カーボンナノチューブにおけるバンドギャップリノーマリゼーション(19pEC ナノチューブ(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 19pEC-9 正孔ドープされた単層カーボンナノチューブにおける励起子・荷電励起子の緩和ダイナミクス(19pEC ナノチューブ(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aCF-5 化学ドーピングしたカーボンナノチューブの光学特性(25aCF ナノチューブ(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aXP-1 正孔ドープされた単層カーボンナノチューブにおける励起子・荷電励起子の生成・緩和ダイナミクス(26aXP ナノチューブ(光物性・分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pPSB-27 発光励起分光によるカーボンナノチューブの高リドベルグ励起子とトリオンの観測(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
- 26aDB-11 Type II CdS/CdTeナノペンシル構造における電荷移動ダイナミクス(微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))