菅原 英州 | トーキン
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概要
関連著者
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菅原 英州
トーキン
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白川 究
電磁研
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増本 健
電磁研
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菅原 英州
NECトーキン株式会社
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増本 健
電気磁気材料研究所
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李 衛東
トーキン
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白川 究
電気磁気材料研究所
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李 衛東
(株)トーキン、技術開発本部
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白川 究
財団法人電気磁気材料研究所
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増本 健
財団法人電気磁気材料研究所
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鈴木 秀夫
(株)トーキン、技術開発本部
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佐藤 正博
(株)トーキン、技術開発本部
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佐藤 正博
トーキン
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鈴木 秀夫
トーキン
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佐藤 由郎
戸田工業
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島田 寛
東北大学大学院工学研究科
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吉田 栄吉
NEC トーキン(株)
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大槻 悦夫
トーキン
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若生 直樹
トーキン
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島田 寛
東北大
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若生 直樹
Necトーキン株式会社
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若生 直樹
Necトーキン(株)技術開発本部
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佐藤 光晴
株式会社トーキン第2生産事業部本部
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吉田 栄吉
Necトーキン株式会社ファンクショナルデバイス事業本部emcデバイス事業部
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猪 義博
トーキン
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佐藤 由郎
トーキン
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佐藤 光晴
トーキン
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吉田 栄吉
トーキン
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菅原 英州
株式会社トーキンr&dセンター
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佐藤 由郎
(株)トーキン
著作論文
- 光磁気記録磁界変調用薄膜マイクロコイル
- F-1326 光磁気記録磁界変調用薄膜マイクロコイルの開発(S49-2&S48 マイクロエネルギー(2)/精密機器マイクロメカトロニクス)(S49 マイクロエネルギー)
- 126 マイクロ DC・DC コンバータ用高 Q CoFeSiB/SiO_2 複合多層膜
- 142 マイクロDC/DCコンバータ用インダクタの素子構成(マイクロエネルギー/精密機器マイクロメカトロニクス)
- 偏平状センダスト複合体の透磁率と電磁波吸収特性
- CoFeSiB/SiO_2多層膜を用いた3連LC・EMIフィルタ特性