山川 晃司 | (株)東芝研究開発センター材料・デバイス研究所

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  (株)東芝 京浜事業所材料部品開発・試作センター

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• 小岩 馨

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• 五代儀 靖

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• 篠沢 法子

  (株)東芝部品材料事業部新素材応用研究所

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著作論文

• 半導体分野におけるろう付技術(最近のろう付技術)
• AlNと薄膜金属の高温アニールにおける反応
• 1B12 AlN セラミクスと薄膜導体の接合界面におよぼす相互反応の効果
• 1A20 AlN セラミクスと薄膜導体の接合におよぼす熱処理の効果

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