高田 健一 | 宮城県産業技術総合センター
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概要
関連著者
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高田 健一
宮城県産業技術総合センター
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石山 和志
東北大学電気通信研究所
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荒井 賢一
東北大学電気通信研究所
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中居 倫夫
宮城県産業技術総合センター
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荒井 賢一
東北大学
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白川 究
電気磁気材料研究所
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白川 究
財団法人電気磁気材料研究所
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村上 進
財団法人 電気磁気材料研究所
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三寺 正雄
(財) みやぎ産業振興機構
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小野寺 隆視
(財) みやぎ産業振興機構
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村上 進
(財) 電気磁気材料研究所
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堀 豊
宮城県産業技術総合センター
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荒井 賢一
東北大通研
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白川 究
(財)電気磁気材料研究所
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村上 進
(財)電気磁気材料研究所
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古川 博道
宮城県産業技術総合センター
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小野寺 隆視
(財)みやぎ産業振興機構
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三寺 正雄
(財)みやぎ産業振興機構
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阿部 宏之
宮城県産業技術総合センター
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中居 倫夫
宮城県産技センター
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高田 健一
宮城県産技センター
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小松 迅人
宮城県産業技術総合センター
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鈴木 秀夫
Necトーキン株式会社
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星 則光
NECトーキン株式会社
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白川 究
(財) 電気磁気材料研究所
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石山 和志
東北大 通研
著作論文
- Stepped-GMI 素子の素子形状とインピーダンス特性の関係
- 傾斜した面内ストライプ磁区の磁区構造転移を利用した大バルクハウゼンセンサの検討
- 不連続的GMI素子におけるインピーダンス不連続点の外部磁界変動に対する安定性(計測・高周波デバイス)
- 不連続的インピーダンス変化特性を有した薄膜GMIセンサと微分回路を組合せた磁界検出方法に関する検討(計測・高周波デバイス)
- MHz帯平面スパイラルインダクタの高性能化
- 数MHz帯駆動薄膜トランスの高性能化
- MHz帯平面スパイラルインダクタの設計と試作