渡辺 和人 | 東理大理
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概要
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橋本 巌
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著作論文
- 2p-T-1 Si中の転位の遠赤外分光による研究V
- 2p-NJ-12 Si中の転位の遠赤外分光による研究 IV
- 2p-G-5 Si中のdislocationの遠赤外分光による研究III
- 4a-L-4 ヘリウム雰囲気中で急冷したアルミニウム中の二次欠陥 II
- 4p-P-4 Si中のdislocationの遠赤外光分光による研究
- 3a-P-10 Random Walkする過剰原子空孔の集積過程
- 7p-Q-11 急冷Al中の二次欠陥の形成におよぼす微量のSi,Cu原子の影響
- 7a-M-10 急冷Al中のdislocation loop形成に及ぼす不純物原子の影響
- 27a-Y-1 第一原理分子動力学法によるSi(100)電界誘導表面緩和
- 29p-BPS-64 Si(100)二量体に及ぼす電界効果
- 24a-PS-30 Si(100)表面電子状態に及ぼす電界効果
- 2a-T-1 Si(100)表面電子状態に及ぼす強電界効果
- 3a-SG-9 急冷Al中の二次欠陥形成に及ぼす金属不純物原子の影響
- 28p-A-8 RHEEDの結晶場計算II