内海 浩昭 | NEC ULSIデバイス開発研究所

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概要

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• NEC ULSIデバイス開発研究所の論文著者

NEC ULSIデバイス開発研究所 | 論文

• C-11-1 低エネルギーヒ素注入とリンの混合注入によるソース/ドレイン形成技術
• SOI基板を用いた5マスクCMOS技術
• SOI基板を用いた5マスクCMOS技術
• 2-10 分光特性に基づくCCDイメージセンサにおけるスミアの解析
• 4)IT-CCDイメージセンサにおける光学的なセル縮小限界(情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会合同)

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