村上 泰介 | 愛知淑徳大学創造表現学部
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概要
論文 | ランダム
- 原子レベルで急峻な界面構造と電子状態 : SiC上の絶縁性SiON超薄膜(最近の研究から)
- 20pHT-4 SiC多形結晶の電子照射誘起構造変化に及ぼす電子励起効果と弾き出し効果(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-6 超平坦化加工した4H-SiC(0001)表面上のグラフェン(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGQ-5 SiC(0001)表面のサイト選択的光電子回折による構造解析(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-27 4H-SiC(0001)表面上のグラフェン形成過程の組成・構造解析(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))