上村 大樹 | 半導体理工学研究センター
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概要
半導体理工学研究センター | 論文
- 20aGQ-4 Si(001)ホールサブバンド分散の角度分解光電子分光測定(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-6 Bi吸着Si(001)表面の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aYH-8 Siホールサブバンドの有効質量(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pPSB-20 Si(110)表面へのPb吸着構造のRHEED観察(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)