奥村 直樹 | 新日本製鉄株式会社先端技術研究所

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概要

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• 同名の論文著者
• 新日本製鉄株式会社先端技術研究所の論文著者

新日本製鉄株式会社先端技術研究所 | 論文

• 大口径SiC単結晶基板の開発 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
• SiCバルク単結晶成長技術の開発動向 (特集 化合物半導体の可能性を再点検する)
• 電子デバイス用基板材料としてのSiC単結晶作製技術の開発
• ワイドギャップ半導体シリコンカ-バイドのバルク単結晶成長
• 大粗粒添加不定形耐火物の機械的性質と並形三点曲げ試験法の信頼性

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