小関 泰之 | 東京大学電気系工学専攻
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概要
東京大学電気系工学専攻 | 論文
- 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 作製後の電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値電圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し安定性の向上(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- SSD向けエラー訂正手法の比較と符号長の動的最適化手法 (集積回路)
- 電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去 (集積回路)
- 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)