石本 貴幸 | 日本原子力研究所・高崎
スポンサーリンク
概要
日本原子力研究所・高崎 | 論文
- 13a-DK-6 Si中の電子線照射誘起欠陥の焼鈍挙動 : 陽電子寿命測定法による分析
- 1a-X-7 電子線照射によって生じたシリコン中原子複空孔の陽電子捕獲
- 8p-S-7 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(IV)
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- 高速短パルス陽電子ビーム形成装置の開発--ビーム構造の計測と改善対策 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)