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西原 利幸 | ソニー(株)、コアテクノロジー開発本部
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ソニー(株)、コアテクノロジー開発本部 | 論文
プラズマMOCVD法により作製された低電圧動作用SrBi_2Ta_2O_9キャパシタ
プラズマMOCVD法により作製された低電圧動作用SrBi_2Ta_2O_9キャパシタ
低温プロセスによる高絶縁・高容量Ta_2O_5キャパシタ膜の作製 : Ta_2O_5キャパシタ膜の電気的特性改善
低温オゾンアニールによるTa_2O_5膜の絶縁性改善
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