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井上 薫 | 松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター | 論文
大振幅動作におけるGaAsFETの周波数分散と変調波ひずみ特性
0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発
Surface-Via-Hole (SVH)技術によるGaAsパワーFET
縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
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