新井 和彦 | 富士ゼロックス株式会社，技術開発本部，基盤技術開発部

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概要

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• 富士ゼロックス株式会社，技術開発本部，基盤技術開発部の論文著者

論文 | ランダム

• SRAMの宇宙線中性子によるマルチエラー解析及びマルチエラー低減技術
• 書換え電流100μA,書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
• サブ1V DRAM設計技術(新メモリ技術とシステムLSI)
• 酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ)
• 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術

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