山田 純一 | NECエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムLSI事業部
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概要
NECエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムLSI事業部 | 論文
- 強誘電体メモリ(FeRAM)の長期データ保持特性テスト法(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
- C-12-54 メモリセル読み出し信号電圧に着目したFeRAM評価手法
- プロセス ロジック混載強誘電体メモリ回路技術の開発 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- NV-SRAM:強誘電体容量を用いた不揮発性SRAM
- NV-SRAM : 強誘電体容量を用いた不揮発性SRAM