西澤 正泰 | JRCAT-産総研:次世代半導体-産総研
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概要
JRCAT-産総研:次世代半導体-産総研 | 論文
- 27a-PS-35 Se吸着GaAs(111)A-(2√×2√)-R30°表面再配列構造
- 7a-PS-52 GaAs{111}A, B-(2×2)極性表面上におけるZnSe成長
- 28a-T-4 Te終端GaAs(001)表面上におけるZnSeの成長形態と欠陥生成
- 19pPSB-34 GaAs(001)表面上でのIn_xGa_Asの層状成長
- 24pPSA-15 As分子線照射下におけるGaAs(001)表面構造