TAKENOUCHI Hirokazu | NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation
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概要
論文 | ランダム
- Doping Characteristics of Gas-Source MBE-Grown n-Al_xGa_As (x=0-0.28) Doped Using Disilane
- 心療内科の立場から (第23回日本森田療法学会) -- (シンポジウム3:外来森田療法)
- A Study of Cold Dopant Sources for Gas Source MBE : The use of Disilane as an N-Type Dopant of Al_xGa_As (x=0-0.28) and Trimethylgallium as a P-Type Dopant of GaAs
- 経済学者の肖像--西部忠・田中素香・竹中平蔵・吉川洋・岩井克人・大田弘子・金子勝・伊藤元重・池尾和人・橋本寿朗・浅子和美・植村博恭・川勝平太・植田和弘・中尾茂夫・猪木武徳・三土修平・沢辺紀生
- 多層パッケージにおけるSSN特性と実効インダクタンスに関するモデル化技術