井上 大二朗 | 三洋電機株式会社 フロンティアデバイス研究所
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概要
三洋電機株式会社 フロンティアデバイス研究所 | 論文
- III-V族化合物半導体成長のμ-RHEED実時間観測
- 30p-Z-4 GaAs-AlGaAs[111]方向量子井戸の光電流スペクトル
- 31a-TF-2 GaAsMBE成長におけるGa原子の表面拡張
- 記録型次世代DVD用高出力青紫色レーザ
- 光ディスク用高出力青紫色半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))