小坂 真由美 | NEC基礎研究所
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概要
NEC基礎研究所 | 論文
- SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
- F204 EMCZ法による8インチSi単結晶育成中の熱物質輸送(オーガナイズドセッション17 : 材料およびデバイス製造の熱工学)
- 酸化物メルトの電磁力による回転 : バルク成長V
- 導電性るつぼ内のSiメルトの自発回転 : バルク成長II
- 24aB3 電流磁場印加結晶引上げ法(EMCZ法)によるSi結晶中の酸素濃度制御(バルク成長VII)