福家 ひろみ | 株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
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概要
株式会社東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ | 論文
- スピンバルブ構造を持ったFeCoナノコンタクトMR(記録システムおよび一般)
- スピンバルブ構造を持ったFeCoナノコンタクトMR(記録システム及び一般)
- 電流狭窄構造によるCPP-GMRのMR変化率の増大効果
- 電流狭窄構造によるCPP-GMRのMR変化率の増大効果(垂直記録及び一般)
- DWMR素子のR-H曲線へのセンス電流の影響とマイクロ波の発振