片山 康弘 | 東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
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概要
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設 | 論文
- NH_3におよるSi(100)の原子層熱窒化過程
- NH_3によるSi表面の低温熱窒化
- CVD Si1-x-yGexCyエピタキシャル成長とドーピング制御
- 研究紹介 CVD法によるSi1-x-yGexCyエピタキシャル成長とドーピング制御
- CVD Si_Ge_xエピタキシャル成長とドーピング制御 : Si半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)