村上 博 | 福菱セミコン

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概要

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福菱セミコン | 論文

• 25pZ-14 SiC薄膜収縮によるSiC/Si界面欠陥の形成
• 28a-YK-12 SiC薄膜中過剰C原子のSi基板への外拡散
• 28a-S-3 SiC膜/Si基板界面に形成されたC-rich層の結晶性
• 28a-S-2 SiC膜/Si基板界面にC-rich層の形成メカニズム
• SiC薄膜/Si基板界面の空洞化メカニズム

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