中津川 英治 | 東京工業大学院理工学研究科

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概要

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• 東京工業大学院理工学研究科の論文著者

東京工業大学院理工学研究科 | 論文

• HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱 (マイクロ波)
• ホットエレクトロンの回折/干渉素子のためのナノ構造アライメント技術
• Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET (電子デバイス)
• III-V族サブミクロンチャネルを有する高移動度MOSFET
• 電気光学効果を用いた光偏波面制御

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