鈴木 力憲 | 東京工業大学・総合理工学研究科

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概要

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• 東京工業大学・総合理工学研究科の論文著者

東京工業大学・総合理工学研究科 | 論文

• Characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structures based on poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (シリコン材料・デバイス)
• HfNのECR Ar/O_2プラズマ酸化プロセスによる極薄HfSiONの形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• ECR-Ar/N_2プラズマにより形成したHfON膜の極薄膜化に関する検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• ECR Ar/N_2プラズマ窒化による高誘電率HfO_xN_y薄膜の形成(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 2段階シリサイド化によるHf混晶化極薄PtSiの耐熱性向上に関する検討(半導体材料・デバイス)

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