中田 健 | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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概要
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 | 論文
- BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- AlGaInAsレーザのESD耐性(光部品の実装・信頼性,一般)
- GaInAsP埋込型レーザのエージングとESD耐性との関係
- GaInAsPレーザの端面活性層での光吸収による劣化機構とその抑制策
- GaInAsP/InPレーザの劣化解析技術(光部品の実装・信頼性,一般)