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KISHIMOTO T. | DEPT. OF UROL. OSAKA CITY UNIV., MED. SCHOOL
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金属/酸化物モードによるゲート絶縁膜用YSZ超薄膜の形成
IBS法による選択BドープSi/Ge周期構造の作製とその電気的特性
30p-A-10 ^As (p, t)^As反応による^Asの核構造
IBS法によるSi基板上Geの成長過程とSi/Ge超格子構造
4a-H-1 (p,t)反応による^Seの核構造
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