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矢木 榮 | 東京大学工学部化学工学研究室
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29p-ZL-16 TBAsを用いたHgCdTeの砒素添加特性
29p-ZL-13 MOCVD法によるSi基板上HgCdTe(II) : CdTeバッファ層膜厚依存
29p-ZL-12 MOCVD法によるSi基板上HgCdTe(I) : 基板面方位依存
第18回日本性機能学会総会の開催とその後の展開
膀胱腫瘍におけるmalignant potentialの指標としてのABH isoantigen
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