植松 真司 | NTT 物性科学基礎研究所

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概要

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• NTT 物性科学基礎研究所の論文著者

NTT 物性科学基礎研究所 | 論文

• 量子ドットの電気的パルス測定と単一電子ダイナミクス
• 19pYH-5 量子ドットの電荷状態とスピン状態
• InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
• 2次電子像によるSi(111)表面の(7×7)ドメイン形状観察
• 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察

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