Nagaya Yuichi | Department of Sustainable Resource Sciences, Mie University, Japan

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論文 | ランダム

• フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET
• Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET

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