長谷川 英機 | 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センターおよび工学部電子情報工学専攻

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概要

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• 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センターおよび工学部電子情報工学専攻の論文著者

北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センターおよび工学部電子情報工学専攻 | 論文

• Si超薄膜界面制御層を用いたInGaAs MISFETの製作とその電気的特性の評価
• インジウムリン系材料への新しいゲート技術
• Si 超薄膜界面制御層を用いた絶縁ゲート InGaAs HEMT の作製と評価

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