FURUTA Yuzo | Dept. of Life and Environmental Sciences Course Kyoto Prefectural Univ.
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概要
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論文 | ランダム
- 極薄SOI pMOSFET中において発現する量子閉じ込め効果によるしきい電圧調整範囲の増大(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- しきい値可変CMOS(VTCMOS)における反転層の有限厚さの影響(先端CMOS及びプロセス関連技術)
- しきい電圧可変完全空乏型SOIMOSFETのしきい電圧調整範囲
- しきい電圧可変完全空乏型SOI MOSFETのしきい電圧調整範囲
- 主題発表[日韓海底トンネルの社会文化的課題] (日韓トンネル政策セミナー(2008年10月30日釜山で実施)) -- (主題発表と討論の全発言)