西井 勝則 | 松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

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概要

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• 松下電子工業(株)半導体デバイス研究センターの論文著者

松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター | 論文

• 大振幅動作におけるGaAsFETの周波数分散と変調波ひずみ特性
• 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
• Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発
• Surface-Via-Hole (SVH)技術によるGaAsパワーFET
• 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC

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