酒井 博 | (株)富士電機総合研究所先端デバイス研究所

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概要

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• (株)富士電機総合研究所先端デバイス研究所の論文著者

(株)富士電機総合研究所先端デバイス研究所 | 論文

• SiCパワーデバイスの展開
• 高性能パワー半導体デバイスの現状 : 材料・プロセス高性能化への期待
• SOI基板に形成したPch LDMOSの耐圧特性

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