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(株)富士電機総合研究所先端デバイス研究所 | 論文

• SOI基板に形成したPch LDMOSの耐圧特性
• SiCパワーデバイスの展開
• 高性能パワー半導体デバイスの現状 : 材料・プロセス高性能化への期待

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