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法政大学イオンビ-ム工学研究所 | 論文
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- 中性子転換注入GaN中の格子変位と転換注入Geからのフォトルミネッセンス
- TaNおよびTaSiN膜の拡散バリア効果と密着性
- 超LSI配線に用いる電界めっき伝導層の配向制御
- 還暦を迎える核データ研究 外史
- アルミニウム化合物のPIXE分析(1)
- アルミニウム化合物のPIXE分析(2)
- 第16回イオンビーム工学研究所シンポジウム
- NiSi2を用いたnタイプSiCのオーミック電極の作製
- 第17回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム
- N型SiCへのNiオーミック電極形成への酸素の影響
- 高濃度リンイオン注入SiCの評価
- 在外研究員報告 パデュー大学滞在記
- As+イオン注入MBE-GaAsにおけるホッピング伝導のフォトクエンチング
- 高濃度Cイオン注入GaAsの中のC不純物に関する研究
- GaAsデジタルエッチングの表面過程
- 4H-Sic(1100)へのイオン注入
- SiC結晶中のSi原子列の観察
- 解説 半導体産業
- チャネリングイオン照射によるエピタキシャルCeO2膜の結晶性改善