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日本結晶成長学会 | 論文
- モンテカルロ・シミュレ-ションによるMBE成長中の表面構造の解析 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (結晶成長理論)
- SOS模型による結晶成長の動力学
- CZ-Si結晶成長におけるGrown-In欠陥の直径効果 : 半導体液相成長II
- Si上に成長したGaPの格子歪・格子変形 : 評価
- 日本結晶成長学会貢献賞(第3章 記念事業記録,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- シリコン(001)微斜面でのステップのパターン形成(結晶成長の基礎-多様な展開)
- 02aC05 シリコン(001)微斜面の成長時のステップのバンチング(結晶成長理論(2),第36回結晶成長国内会議)
- ICCG-6印象記 : 第6回結晶成長国際会議,第4回結晶成長国際スペシャリスト・スクール
- 硝酸塩溶媒を用いたカルサイト単結晶の水熱育成
- 科学展示 : 科学写真展示
- GaPO_4単結晶の水熱育成 : 高圧下成長
- S. アメリンクス "結晶中の欠陥の特性決定" : 夜間講演
- 28aB5 大きなユニットセルをもつ2成分定比化合物結晶におけるステップ張力の不定性 : 六方晶ZnS(101^^-0)面(基礎IV)
- 28aB6 微斜面における単一ステップのゆらぎI : Free Fermionモデル及びCapillary Waveモデルによるアプローチ(基礎IV)
- 28aB7 微斜面における単一ステップのゆらぎII. : モンテカルロシミュレーション(基礎V)
- 微斜面における単一ステップのゆらぎIII : 基礎(理論)II
- 微斜面の Harmonic Fluid 描像 : 基礎(理論)II
- ステップ系の統計力学と結晶形のダイナミクス (原子レベルでの結晶成長機構) -- (結晶成長理論)
- 界面律速定常成長する微斜面の単一ステップゆらぎ幅: べき乗則 : 成長界面II
- 表面ラフニング転移温度の新しい評価法 : ステップゆらぎ解析 : 成長界面II