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日本結晶成長学会 | 論文
- SiCバルク単結晶成長の概要 (特集 SiCの現状と今後の展開)
- 16m/m撮影による結晶成長機構の観察
- 16m/m撮影による結晶成長機構の解析
- 結晶内への母液の巻込み現象について : マイクロモルフォロジー
- 液相成長における結晶・母液界面のその場観察 : 溶液成長
- ノマルスキー微分干渉顕微鏡を用いた成長時のステップ構造の計測 : 水溶液
- 溶液成長の律速過程 II 結晶表面に沿った層流のある場合 : ステップ運動
- 氷結晶の気相成長における律速過程とモルフォロジーの理論
- 固溶体の溶液成長と有効分配係数
- 凍上現象の理論
- 小林禎作先生の御逝去を悼む
- シリコン単結晶成長プロセスの数値シミュレーションに要求される熱物性値
- 日本結晶成長学会30周年記念特集
- (111)A基板上のInAs/GaAsヘテロエピタキシ(ヘテロエピタキシーと界面構造制御)
- 結晶界面を通しての熱の応答 : 水溶液
- Si結晶の不均一性の原因
- 半導体シリコン結晶工学 : 志村史夫著, A5判436頁, 丸善1993年9月刊, 定価8,858円(税込)
- 薄膜のモフォロジーと原子反応の素過程(エピタキシャル成長の量子論)
- SK3 半導体エピタキシャル成長の機構 : 第一原理計算からのアプローチ
- Silicide, Metallization and Silicon Carbide(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))