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新機能素子研究開発協会 | 論文
- 縦型輻射加熱式反応炉による厚膜4H-SiCエピタキシャル膜のモフォロジー (特集 ハードエレクトロニクス--超低損失パワーデバイス技術) -- (結晶成長)
- 縦型CVD炉における4H-SiCエピタキシャル層の成長と電気特性 (シリコンカーバイド素子)
- 超電導素子基礎技術 (特集 超電導特集) -- (超電導素子の波及効果と展望)
- システムLSIのビジネスモデルはどうなるか (小特集 : システムLSI技術)
- 酸化物超電導結晶の作製と成長機構
- 高エネルギー電子注入型酸化物超電導ベース3端子素子技術 (特集 超電導特集) -- (超電導素子化技術開発)
- 〈0001〉c軸に平行並びに垂直な方向へのSiCバルク単結晶成長 (特集 ハードエレクトロニクス--超低損失パワーデバイス技術) -- (結晶成長)
- 大口径・高品質SiCバルク単結晶開発の現状 (シリコンカーバイド素子)
- 超電導ディジタル技術の現状と将来
- 強誘電体薄膜デバイス技術の展望とニュ-ロデバイスへの応用
- トランジスタ型強誘電体メモリの現状と展望
- 次世代強誘電体メモリプロジェクトの研究開発 (IT基盤研究開発 FED2001--2001年度新機能素子シンポジウム講演録)
- 集束イオンビームによる酸化物超電導体ジョセフソン接合の作製 (特集 超電導特集) -- (ジョセフソン素子ハイブリツドシステムの技術開発)
- 第1次視覚野神経網機能(局所ハフ変換)のLSI化 (小特集:脳型コンピュータアーキテクチャ)
- ラングミュア・ブロジェット法の高度化とその分子素子への応用 (特集:バイオ素子研究開発) -- (バイオ素子研究開発の成果)
- SiC研究の現状と今後の展開
- シリコンカーバイド(SiC)研究の進展 (シリコンカーバイド素子)
- ラマン散乱分光法によるSiCの積層欠陥の評価 (特集 ハードエレクトロニクス--超低損失パワーデバイス技術) -- (デバイスプロセスと特性評価)
- EUVリソグラフィ技術 (小特集:X線光学技術とその応用)
- ナメクジ神経系の振動的活動と情報処理 (小特集:バイオ素子に向けた生物研究)