スピン応用デバイスの開発(第4報)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 秋田県産業技術総合研究センターの論文

著者

• 鈴木 淑男

  秋田県産業技術総合研究セ

関連論文

• スピン応用デバイスの開発(第3報)
• スピン応用デバイスの開発(第2報)
• 変動成分抽出法を用いた二層膜媒体におけるスパイクのマッピング(磁気記録)
• スピン応用デバイスの開発(第1報)
• L1_0型FePt垂直磁化膜の現状と展望(「磁性薄膜作製技術II」)
• スピン応用デバイスの開発(第4報)
• 21pGP-5 直流非局所測定法を用いたSiへのスピン注入効果とそのバイアス電流依存性(21pGP スピントロニクス(スピン流・スピン注入・スピン波),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 25aSA-11 直流非局所3端子法を用いたハイドープSi中のスピン拡散長とその温度依存性の観測(25aSA スピントロニクス(スピン流・スピンホール効果・スピン軌道相互作用),領域3(磁性,磁気共鳴))

スポンサーリンク